Компании Samsung и Toshiba поддерживают инициативу по стандартизации спецификации NAND для ресурсоемких приложений. Новые спецификации NAND переключения DDR 2.0 будет соответствовать DDR флэш памяти с интерфейсом до 400 Мб/с. Ранее в в этом месяце Toshiba уже объявила о том, что будет заниматься производством флэшевой NAND памяти совместно с SanDisk.

Сейчас существуют спецификации переключения DDR 1.0, которые используют обычный интерфейс DDR с единственной скоростью передачи данных NAND. В этих устройствах интерфейс обеспечивает передачу до 133 Мб/с. Новые спецификации с переключением 2.0 будут иметь интерфейс 400МБ/с, что даст трехкратное увеличение скорости в сравнении со спецификациями DDR 1.0. Новая NAND память со спецификациями 2.0 даст десятикратный прирост в сравнении с 40 Мб/с единственной скорости передачи, которая все еще используется в NAND. Единообразие спецификаций ускорит их внедрение и позволит разработчикам приложений создавать общие программы для продукции обоих компаний.